Infineon SPI11N60S5 N-Kanal MOSFET – 600V, 11A, 125W, IPAK-Gehäuse – Aus Deutschland

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Produktbeschreibung & Produktdaten

Infineon SPI11N60S5 N-Kanal MOSFET – 600V, 11A, 125W, IPAK-Gehäuse – Aus Deutschland

Dieser Infineon SPI11N60S5 ist ein leistungsfähiger N-Kanal Anreicherungs-MOSFET – mit einer maximalen Spannung von 600V, 11A Strom und 125W Verlustleistung.

SPI11N60S5 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs | -Marktplatz

Eingebaut im IPAK-Gehäuse, ideal für PCB-Montage und Schaltnetzteile.
Neuware, originalverpackt, hergestellt in Deutschland.

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Der Transistor ist für Temperaturen von -25 °C bis +85 °C ausgelegt.

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Einfache Montage, geringer Einschaltwiderstand, perfekt für Power-Anwendungen.

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Wenn du also einen zuverlässigen, leistungsstarken MOSFET für deine Elektronikprojekte brauchst – dann ist das dein Bauteil.

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Schnell bestellt, gleich eingebaut, top Leistung.

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