Infineon SPI11N60S5 N-Kanal MOSFET – 600V, 11A, 125W, IPAK-Gehäuse – Aus Deutschland
Dieser Infineon SPI11N60S5 ist ein leistungsfähiger N-Kanal Anreicherungs-MOSFET – mit einer maximalen Spannung von 600V, 11A Strom und 125W Verlustleistung.

Eingebaut im IPAK-Gehäuse, ideal für PCB-Montage und Schaltnetzteile.
Neuware, originalverpackt, hergestellt in Deutschland.

Der Transistor ist für Temperaturen von -25 °C bis +85 °C ausgelegt.

Einfache Montage, geringer Einschaltwiderstand, perfekt für Power-Anwendungen.

Wenn du also einen zuverlässigen, leistungsstarken MOSFET für deine Elektronikprojekte brauchst – dann ist das dein Bauteil.

Schnell bestellt, gleich eingebaut, top Leistung.
