RJP30H1DPD – N-Kanal IGBT TO-252 Für High-Speed Produktbild

RJP30H1DPD – N-Kanal IGBT TO-252 Für High-Speed Power Switching – Renesas

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Produktbeschreibung & Produktdaten

RJP30H1DPD – N-Kanal IGBT TO-252 Für High-Speed Power Switching – Renesas

Du brauchst 'nen schnellen Schalter für deine Leistungselektronik?

RJP30H2A N Kanal IGBT TO-263 N Channel Bipolar Transistor - IoT powered

Dann schau dir den RJP30H1DPD von Renesas an.
Das ist ein N-Kanal IGBT im praktischen TO-252-Gehäuse, perfekt für High-Speed Power Switching.

Das Bauteil ist neu und ungebraucht – Originalverpackung ist dabei, soweit vorhanden.
Renesas steht für Qualität, und das merkst du bei jedem Einsatz.
Egal ob in Netzteilen, Wechselrichtern oder anderen Schaltungen – der IGBT macht seine Sache richtig gut.

10 PCS RJP30H1DPD TO-252 RJP30H1 IGBT High Speed Power Switching

Die Anschlüsse sind sauber, die Datenblätter passen – also keine Überraschungen.

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Wenn du 'nen zuverlässigen Halbleiter suchst, der Schaltverluste klein hält und trotzdem ordentlich Leistung packt, bist du hiermit bestens bedient.

RJP30H1 RJP30H1DPD TRANSISTOR TO-252 Silicon N Channel IGBT High speed

Einfach einlöten und los geht's!

RJP30H1 RJP30H1DPD TO-252 TRANSISTOR N-CHANNEL IGBT POWER SWITCHING - 3 PEZZI

RJP 30H1 TO-220F IGBT Transistör Fiyatı - Merter Elektronik

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